- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C23C - Revêtement de matériaux métalliques; revêtement de matériaux avec des matériaux métalliques; traitement de surface de matériaux métalliques par diffusion dans la surface, par conversion chimique ou substitution; revêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par implantation d'ions ou par dépôt chimique en phase vapeur, en général
- C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p.ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
Détention brevets de la classe C23C 16/448
Brevets de cette classe: 1277
Historique des publications depuis 10 ans
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Tokyo Electron Limited | 11599 |
108 |
Applied Materials, Inc. | 16587 |
95 |
Lam Research Corporation | 4775 |
44 |
Entegris, Inc. | 1736 |
42 |
ASM IP Holding B.V. | 1715 |
41 |
L'Air Liquide, Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude | 3515 |
34 |
HORIBA STEC, Co., Ltd. | 302 |
28 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5132 |
21 |
Fujikin Incorporated | 671 |
20 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
19 |
Versum Materials US, LLC | 591 |
19 |
Kokusai Electric Corporation | 1791 |
19 |
Aixtron SE | 288 |
18 |
Beneq Oy | 205 |
15 |
Flosfia Inc. | 210 |
15 |
King Fahd University of Petroleum and Minerals | 779 |
15 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
14 |
Samsung Display Co., Ltd. | 30585 |
13 |
Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | 1583 |
13 |
Tokyo Electron America, Inc. | 97 |
11 |
Autres propriétaires | 673 |